Tillverkare Produktnummer:
STF18N65DM2
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STF18N65DM2-DG
Beskrivning:
DISCRETE
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventarier:
12995323
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STF18N65DM2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
295mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
965 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
28W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220FP
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
STF18
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
497-STF18N65DM2
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
WNSCM80120WQ
WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARK
WNSC2M1K0170WQ
WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MAR
SGT120R65AL
650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD