Tillverkare Produktnummer:
STD9HN65M2
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STD9HN65M2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventarier:
12875338
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STD9HN65M2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
MDmesh™ M2
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
820mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
325 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
60W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DPAK
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
STD9H
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
497-16036-2
497-16036-6
-497-16036-6
497-16036-1
-497-16036-1
-497-16036-2
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXTY4N65X2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
70
DEL NUMMER
IXTY4N65X2-DG
ENHETSPRIS
1.07
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STF9N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
STD18N55M5
MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
STD10PF06-1
MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
