STD7NM80-1
Tillverkare Produktnummer:

STD7NM80-1

Product Overview

Tillverkare:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Delenummer:

STD7NM80-1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 6.5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Inventarier:

100 Pcs Ny Original I Lager
12877349
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

STD7NM80-1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
MDmesh™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.05Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
620 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
90W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-251 (IPAK)
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
STD7

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
75
Andra namn
STD7NM801
STD7NM80-1-DG
-497-12787-5
497-12787-5

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
stmicroelectronics

STFI15NM65N

MOSFET N-CH 650V 12A I2PAKFP

stmicroelectronics

STP130N6F7

MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB

stmicroelectronics

STD15N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

stmicroelectronics

STD30NE06L

MOSFET N-CH 60V 30A DPAK