Tillverkare Produktnummer:
STD6NM60N
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STD6NM60N-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 4.6A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventarier:
12878290
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STD6NM60N Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ II
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
920mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
420 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
45W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DPAK
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
STD6N
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPD80R1K2P7ATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
14924
DEL NUMMER
IPD80R1K2P7ATMA1-DG
ENHETSPRIS
0.40
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
TSM60NB900CP ROG
Tillverkare
Taiwan Semiconductor Corporation
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2480
DEL NUMMER
TSM60NB900CP ROG-DG
ENHETSPRIS
0.64
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STB185N55F3
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
STK822
MOSFET N-CH 25V 38A POLARPAK
STP38N65M5
MOSFET N-CH 650V 30A TO220
