Tillverkare Produktnummer:
STD1NK60-1
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STD1NK60-1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventarier:
5751 Pcs Ny Original I Lager
12879508
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STD1NK60-1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
SuperMESH™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
156 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
30W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I-PAK
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
STD1
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
75
Andra namn
497-12782-5
STD1NK60-1-DG
-497-12782-5
STD1NK601
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STW43NM60N
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
STL36N60M6
MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV
STP4NK80ZFP
MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
