Tillverkare Produktnummer:
STD18N60M6
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STD18N60M6-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventarier:
1649 Pcs Ny Original I Lager
12879008
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STD18N60M6 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ M6
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
650 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
110W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252 (DPAK)
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
STD18
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
STD18N60M6-DG
497-STD18N60M6DKR
497-STD18N60M6CT
497-STD18N60M6TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
R6014YND3TL1
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2476
DEL NUMMER
R6014YND3TL1-DG
ENHETSPRIS
1.21
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STF15N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
STP12NK80Z
MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
STFI40N60M2
MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFP
