Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
DR Kongo
Argentina
Turkiet
Rumänien
Litauen
Norge
Österrike
Angola
Slovakien
Italien
Finland
Vitryssland
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Montenegro
Ryska
Belgien
Sverige
Serbien
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Moldavien
Tyskland
Nederländerna
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrike
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Portugal
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
STD11NM60N-1
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STD11NM60N-1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventarier:
Förfrågan Online
12876275
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STD11NM60N-1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
-
Serie
MDmesh™ II
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
450mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
850 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
90W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I-PAK
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
STD11
Ytterligare information
Standard-paket
75
Andra namn
497-5963-5
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
TK11P65W,RQ
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
485
DEL NUMMER
TK11P65W,RQ-DG
ENHETSPRIS
0.74
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
SPD08N50C3ATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
12211
DEL NUMMER
SPD08N50C3ATMA1-DG
ENHETSPRIS
0.77
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IPD60R600P6ATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
4899
DEL NUMMER
IPD60R600P6ATMA1-DG
ENHETSPRIS
0.51
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
FCD600N60Z
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
16467
DEL NUMMER
FCD600N60Z-DG
ENHETSPRIS
0.77
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STW70N60DM6
MOSFET N-CH 600V 62A TO247
STW36N60M6
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
STU3N65M6
MOSFET N-CH 650V 3.5A IPAK
STL7N6F7
MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT