STB80NF55L-08-1
Tillverkare Produktnummer:

STB80NF55L-08-1

Product Overview

Tillverkare:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Delenummer:

STB80NF55L-08-1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventarier:

2277 Pcs Ny Original I Lager
12872076
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

STB80NF55L-08-1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
STripFET™ II
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
55 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4350 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I2PAK
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
STB80N

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
497-12542-5
STB80NF55L081
STB80NF55L-08-1-DG
-497-12542-5

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
IRF3205ZLPBF
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3938
DEL NUMMER
IRF3205ZLPBF-DG
ENHETSPRIS
0.67
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
stmicroelectronics

STB80N4F6AG

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

stmicroelectronics

STD36NH02L

MOSFET N-CH 24V 30A DPAK

stmicroelectronics

STP11NM60ND

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

stmicroelectronics

STP10NM65N

MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB