STB7NK80Z-1
Tillverkare Produktnummer:

STB7NK80Z-1

Product Overview

Tillverkare:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Delenummer:

STB7NK80Z-1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventarier:

Förfrågan Online
12875838
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

STB7NK80Z-1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
SuperMESH™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1138 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I2PAK
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
STB7NK80

Datablad och dokument

Datablad
ST(B,P)7NK80Z(-1,FP)

Ytterligare information

Standard-paket
1,000
Andra namn
STB7NK80Z-1-DG
497-12539-5
-497-12539-5

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
stmicroelectronics

STP16NK60Z

MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB

stmicroelectronics

STS10PF30L

MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

stmicroelectronics

STW19NM50N

MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3

stmicroelectronics

STP18N55M5

MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB