Tillverkare Produktnummer:
STB36N60M6
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STB36N60M6-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
12876311
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STB36N60M6 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ M6
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
99mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
44.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1960 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
208W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
STB36
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
STB36N60M6-DG
497-18734-6
497-18734-1
497-18734-2
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPB60R125C6ATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2357
DEL NUMMER
IPB60R125C6ATMA1-DG
ENHETSPRIS
2.54
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STB24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
STF25N80K5
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FP
STD90N03L-1
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK