Tillverkare Produktnummer:
STB28N65M2
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STB28N65M2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
12872378
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STB28N65M2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ M2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1440 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
170W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
STB28
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
497-15456-6
497-15456-2
497-15456-1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXFA22N65X2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
250
DEL NUMMER
IXFA22N65X2-DG
ENHETSPRIS
2.56
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STD18NF03L
MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
STB18N60M6
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
STN1N20
MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
