STB26NM60N
Tillverkare Produktnummer:

STB26NM60N

Product Overview

Tillverkare:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Delenummer:

STB26NM60N-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventarier:

2127 Pcs Ny Original I Lager
12879984
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

STB26NM60N Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ II
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
165mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
140W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
STB26

Datablad och dokument

Datablad
STB,F,P, W26NM60N

Ytterligare information

Standard-paket
1,000
Andra namn
497-10985-6
497-10985-1
497-10985-2
STB26NM60N-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
stmicroelectronics

STP30N10F7

MOSFET N-CH 100V 32A TO220AB

stmicroelectronics

STP7N65M2

MOSFET N-CH 650V 5A TO220

stmicroelectronics

STW30NM60D

MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3

stmicroelectronics

STS17NF3LL

MOSFET N-CH 30V 17A 8SO