Tillverkare Produktnummer:
STB26N60M2
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STB26N60M2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 169W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventarier:
12878635
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STB26N60M2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ M2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
165mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1360 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
169W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
D2PAK
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
STB26
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
497-17546-6
497-17546-1
497-17546-2
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPB60R160C6ATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3347
DEL NUMMER
IPB60R160C6ATMA1-DG
ENHETSPRIS
1.71
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IPB60R180P7ATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2501
DEL NUMMER
IPB60R180P7ATMA1-DG
ENHETSPRIS
0.88
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STU6N60M2
MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
STU13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
STB11N65M5
MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
