Tillverkare Produktnummer:
STB24N65M2
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STB24N65M2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventarier:
12870187
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STB24N65M2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
MDmesh™ M2
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
230mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1060 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
D2PAK
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
STB24N
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
497-15304-1
497-15304-2
-497-15304-1
-497-15304-2
-497-15304-6
497-15304-6
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
FCB260N65S3
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
6
DEL NUMMER
FCB260N65S3-DG
ENHETSPRIS
1.40
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STI24N60M6
MOSFET N-CH 600V I2PAK
STD4N90K5
MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
STP24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A TO220