Tillverkare Produktnummer:
STB19NM65N
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STB19NM65N-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 15.5A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventarier:
776 Pcs Ny Original I Lager
12876386
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STB19NM65N Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
MDmesh™ II
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
270mOhm @ 7.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
D2PAK
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
STB19N
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
-497-7001-6
1805-STB19NM65NCT
497-7001-6
1805-STB19NM65NTR
497-7001-2
1805-STB19NM65NDKR
-497-7001-2
497-7001-1
-497-7001-1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPB65R310CFDAATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1407
DEL NUMMER
IPB65R310CFDAATMA1-DG
ENHETSPRIS
1.29
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STW78N65M5
MOSFET N-CH 650V 69A TO247
STF7LN80K5
MOSFET N-CH 800V 5A TO220FP
STD15N65M5
MOSFET N CH 650V 11A DPAK
