STB100N6F7
Tillverkare Produktnummer:

STB100N6F7

Product Overview

Tillverkare:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Delenummer:

STB100N6F7-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventarier:

1346 Pcs Ny Original I Lager
12870333
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

STB100N6F7 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
STripFET™ F7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
5.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1980 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
STB100

Ytterligare information

Standard-paket
1,000
Andra namn
497-15894-2
497-15894-1
497-15894-6

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
stmicroelectronics

STB155N3H6

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

stmicroelectronics

STP6NK70Z

MOSFET N-CH 700V 5A TO220AB

vishay-siliconix

TP0610K-T1-GE3

MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3

nxp-semiconductors

BUK7619-100B,118

MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK