Tillverkare Produktnummer:
SCT10N120
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
SCT10N120-DG
Beskrivning:
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™
Inventarier:
12878188
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SCT10N120 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
20V
rds på (max) @ id, vgs
690mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 20 V
Vgs (max)
+25V, -10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
290 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
HiP247™
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
SCT10
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
100
Andra namn
497-16597-5
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
MSC360SMA120B
Tillverkare
Microchip Technology
ANTAL TILLGÄNGLIGT
138
DEL NUMMER
MSC360SMA120B-DG
ENHETSPRIS
4.74
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
G3R350MT12D
Tillverkare
GeneSiC Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5904
DEL NUMMER
G3R350MT12D-DG
ENHETSPRIS
2.97
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STL24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
STB7ANM60N
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
STW15NM60N
MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
