Tillverkare Produktnummer:
SCT015W120G3-4AG
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
SCT015W120G3-4AG-DG
Beskrivning:
TO247-4
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 129A (Tc) 673W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventarier:
13269616
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SCT015W120G3-4AG Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
129A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
15V, 18V
rds på (max) @ id, vgs
17.5mOhm @ 60A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 10mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
167 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3512 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
673W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-4
Paket / Fodral
TO-247-4
Ytterligare information
Standard-paket
600
Andra namn
497-SCT015W120G3-4AG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
DIGI Certifiering
Relaterade produkter