Tillverkare Produktnummer:
IRF630
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
IRF630-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220
Inventarier:
14506 Pcs Ny Original I Lager
12874665
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF630 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
MESH OVERLAY™ II
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
75W (Tc)
Drifttemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IRF6
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
497-2757-5
497-2757-5-NDR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STFW45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A ISOWATT
BUK9C2R2-60EJ
MOSFET N-CH 60V D2PAK-7
STF7N65M6
MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
