Tillverkare Produktnummer:
US6J11TR
Product Overview
Tillverkare:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
US6J11TR-DG
Beskrivning:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 12V 1.3A 320mW Surface Mount TUMT6
Inventarier:
5885 Pcs Ny Original I Lager
13527012
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
US6J11TR Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
ROHM Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
12V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.3A
rds på (max) @ id, vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
2.4nC @ 4.5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 6V
Effekt - Max
320mW
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
6-SMD, Flat Leads
Paket för leverantörsenhet
TUMT6
Grundläggande produktnummer
US6J11
Datablad och dokument
Dokument om tillförlitlighet
Resurser för design
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
US6J11DKR
US6J11CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SP8K22FRATB
MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOP
TT8K11TCR
MOSFET 2N-CH 30V 3A 8TSST
SP8K2TB
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP