Tillverkare Produktnummer:
SCT3080KLHRC11
Product Overview
Tillverkare:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
SCT3080KLHRC11-DG
Beskrivning:
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 165W Through Hole TO-247N
Inventarier:
842 Pcs Ny Original I Lager
13527145
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SCT3080KLHRC11 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
ROHM Semiconductor
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
18V
rds på (max) @ id, vgs
104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -4V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
785 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
165W
Drifttemperatur
175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247N
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
SCT3080
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
30
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RD3P050SNTL1
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
RS3E075ATTB
MOSFET P-CH 30V 8SOP
RRS100P03TB1
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
