Tillverkare Produktnummer:
SCT2080KEGC11
Product Overview
Tillverkare:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
SCT2080KEGC11-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1200V 40A TO247N
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247N
Inventarier:
170 Pcs Ny Original I Lager
12996835
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SCT2080KEGC11 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
ROHM Semiconductor
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
18V
rds på (max) @ id, vgs
117mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4.4mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -6V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2080 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
262W (Tc)
Drifttemperatur
175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247N
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
SCT2080
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
450
Andra namn
846-SCT2080KEGC11
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
MTSF2P03HDR2
MTSF2P03 - TRANS MOSFET P-CH 30V
MCG65N03-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN3333
MCG30N10Y-TP
MOSFET N-CH DFN3333
