Tillverkare Produktnummer:
RS3E135BNGZETB
Product Overview
Tillverkare:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
RS3E135BNGZETB-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 9.5A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventarier:
2565 Pcs Ny Original I Lager
13527429
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RS3E135BNGZETB Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
ROHM Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
14.6mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
680 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOP
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
RS3E
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
RS3E135BNGZETBTR
RS3E135BNGZETBCT
RS3E135BNGZETBDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RDN150N20FU6
MOSFET N-CH 200V 15A TO220FN
RQ6E055BNTCR
MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
R6002END3TL1
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252