RS1E170GNTB
Tillverkare Produktnummer:

RS1E170GNTB

Product Overview

Tillverkare:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

RS1E170GNTB-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 40A (Tc) 3W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Inventarier:

1959 Pcs Ny Original I Lager
13080530
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

RS1E170GNTB Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
ROHM Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Ta), 40A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
6.7mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
720 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3W (Ta), 23W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-HSOP
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
RS1E

Datablad och dokument

Datablad
RS1E170GNTB HSMT8 TB Taping Spec

Ytterligare information

Standard-paket
2,500
Andra namn
846-RS1E170GNTR
846-RS1E170GNTBCT
RS1E170GNTBTR
RS1E170GNTBDKR
RS1E170GNTBCT
846-RS1E170GNTBDKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
rohm-semi

RSR020N06HZGTL

MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3

rohm-semi

RSQ035N06HZGTR

MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT6

comchip-technology

CMS25N03V8-HF

MOSFET N-CH 30V 25A 8DFN

rohm-semi

RTR025N05HZGTL

MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3