Tillverkare Produktnummer:
RF4P060BGTCR
Product Overview
Tillverkare:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
RF4P060BGTCR-DG
Beskrivning:
NCH 100V 6A, HUML2020L8, POWER M
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount DFN2020-8S
Inventarier:
3000 Pcs Ny Original I Lager
13309349
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RF4P060BGTCR Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
ROHM Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
53mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
305 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2W (Ta)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DFN2020-8S
Paket / Fodral
8-PowerUDFN
Grundläggande produktnummer
RF4P060
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
846-RF4P060BGTCRCT
846-RF4P060BGTCRTR
846-RF4P060BGTCRDKR
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RX3R10BBHC16
NCH 150V 105A, TO-220AB, POWER M
SCT3160KW7HRTL
1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
RX3L18BBGC16
NCH 60V 180A, TO-220AB, POWER MO
