Tillverkare Produktnummer:
RDN120N25
Product Overview
Tillverkare:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
RDN120N25-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 250V 12A TO220FN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 250 V 12A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FN
Inventarier:
13527520
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RDN120N25 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
ROHM Semiconductor
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
250 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
210mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1224 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
40W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220FN
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
RDN120
Ytterligare information
Standard-paket
500
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
R5013ANXFU6
MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM
RHK005N03T146
MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
R6006ANX
MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
