Tillverkare Produktnummer:
RD3S075CNTL1
Product Overview
Tillverkare:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
RD3S075CNTL1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 190V 7.5A TO252
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 190 V 7.5A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventarier:
2059 Pcs Ny Original I Lager
13526162
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RD3S075CNTL1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
ROHM Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
190 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
336mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
52W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
RD3S075
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
RD3S075CNTL1DKR
RD3S075CNTL1TR
RD3S075CNTL1CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RTF015P02TL
MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3
RUL035N02FRATR
MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
R6018JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM
