RD3P07BBHTL1
Tillverkare Produktnummer:

RD3P07BBHTL1

Product Overview

Tillverkare:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

RD3P07BBHTL1-DG

Beskrivning:

NCH 100V 70A, TO-252, POWER MOSF
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventarier:

2216 Pcs Ny Original I Lager
13314492
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

RD3P07BBHTL1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
ROHM Semiconductor
Förpackning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7.7mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2410 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
89W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
RD3P07

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
2,500
Andra namn
846-RD3P07BBHTL1DKR
846-RD3P07BBHTL1CT
846-RD3P07BBHTL1TR

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
sanken

FKG1020

LOW RON MOSFET 100V/20A/0.033