Tillverkare Produktnummer:
RD3L08BGNTL
Product Overview
Tillverkare:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
RD3L08BGNTL-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventarier:
1415 Pcs Ny Original I Lager
13525521
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RD3L08BGNTL Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
ROHM Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3620 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
119W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
RD3L08
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
RD3L08BGNTLDKR
RD3L08BGNTLTR
RD3L08BGNTLCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
TK6R7P06PL,RQ
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
22356
DEL NUMMER
TK6R7P06PL,RQ-DG
ENHETSPRIS
0.31
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
R6035ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
RTU002P02T106
MOSFET P-CH 20V 250MA UMT3
RSJ300N10TL
MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
