Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
R8010ANX
Product Overview
Tillverkare:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
R8010ANX-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventarier:
Förfrågan Online
13524383
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
R8010ANX Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
ROHM Semiconductor
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
560mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1750 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
40W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220FM
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
R8010
Datablad och dokument
Datablad
R8010ANX
Dokument om tillförlitlighet
TO220FM MOS Reliability Test
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
R8010ANXCT
R8010ANXCT-ND
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SPA11N80C3XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2180
DEL NUMMER
SPA11N80C3XKSA1-DG
ENHETSPRIS
1.26
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
TK7A60W,S4VX
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
50
DEL NUMMER
TK7A60W,S4VX-DG
ENHETSPRIS
0.72
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STF11N60M2-EP
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
998
DEL NUMMER
STF11N60M2-EP-DG
ENHETSPRIS
0.67
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STF10NM60ND
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
378
DEL NUMMER
STF10NM60ND-DG
ENHETSPRIS
0.87
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
R8009KNXC7G
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1871
DEL NUMMER
R8009KNXC7G-DG
ENHETSPRIS
1.74
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RTQ020N03TR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
RSH070P05GZETB
MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
RVQ040N05TR
MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
R6024ENJTL
MOSFET N-CH 600V 24A LPTS