R6076ENZ4C13
Tillverkare Produktnummer:

R6076ENZ4C13

Product Overview

Tillverkare:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

R6076ENZ4C13-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 76A TO247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 76A (Tc) 735W (Tc) Through Hole TO-247

Inventarier:

467 Pcs Ny Original I Lager
12851411
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

R6076ENZ4C13 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
ROHM Semiconductor
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
42mOhm @ 44.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
735W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
R6076

Datablad och dokument

Datablad
R6076ENZ4C13

Ytterligare information

Standard-paket
30
Andra namn
846-R6076ENZ4C13

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
onsemi

FDD8796

MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA

micro-commercial-components

SI2304-TP

MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23

rohm-semi

R6509ENJTL

MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

rohm-semi

R6507KNJTL

MOSFET N-CH 650V 7A LPTS