Tillverkare Produktnummer:
EMB10FHAT2R
Product Overview
Tillverkare:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
EMB10FHAT2R-DG
Beskrivning:
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventarier:
12966480
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
EMB10FHAT2R Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
ROHM Semiconductor
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Not For New Designs
Typ av transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
2.2kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
47kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
500nA
Frekvens - Övergång
250MHz
Effekt - Max
150mW
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SOT-563, SOT-666
Paket för leverantörsenhet
EMT6
Grundläggande produktnummer
EMB10
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
8,000
Andra namn
846-EMB10FHAT2RCT
846-EMB10FHAT2RTR
846-EMB10FHAT2RDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0075
Alternativa modeller
DELNUMMER
RN2905FE,LF(CT
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
RN2905FE,LF(CT-DG
ENHETSPRIS
0.02
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
PEMB10,115
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
4000
DEL NUMMER
PEMB10,115-DG
ENHETSPRIS
0.07
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
UMB11NFHATN
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
EMB3FHAT2R
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
RN2902,LXHF(CT
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN