Tillverkare Produktnummer:

X28HC64SZ-12

Product Overview

Tillverkare:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics Delenummer:

X28HC64SZ-12-DG

Beskrivning:

8K X 8 EEPROM,HIGH SPEED,CMOS,C.

Detaljerad beskrivning:

EEPROM Memory IC 64Kbit Parallel 120 ns 28-SOIC

Inventarier:

Förfrågan Online

11206145

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

X28HC64SZ-12 Tekniska specifikationer

Kategori

Minne, Minne

Tillverkare

Renesas Electronics Corporation

Förpackning

Tube

Serie

-

Produktens status

Active

Typ av minne

Non-Volatile

Minnes format

EEPROM

Teknik

EEPROM

Minnets storlek

64Kbit

Organisation av minne

8K x 8

Gränssnitt för minne

Parallel

Skriv cykeltid - Word, Sida

5ms

Åtkomsttid

120 ns

Spänning - Tillförsel

4.5V ~ 5.5V

Drifttemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Typ av montering

Surface Mount

Paket / Fodral

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Paket för leverantörsenhet

28-SOIC

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

X28HC64SZ-12-DG

Ytterligare information

Standard-paket

25

Andra namn

20-X28HC64SZ-12

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

3 (168 Hours)

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

M3016316045NX0PBCR

M3016316 MRAM PARALLEL 16MB X16

X28HC256JZ-12

32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32

M3016316045NX0IBCR

M3016316 MRAM PARALLEL 16MB X16

X28HC256PIZ-12

32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,P