Tillverkare Produktnummer:
UPA2825T1S-E2-AT
Product Overview
Tillverkare:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Delenummer:
UPA2825T1S-E2-AT-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 8HVSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 24A (Tc) 1.5W (Ta), 16.5W (Tc) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
Inventarier:
12857008
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
UPA2825T1S-E2-AT Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Renesas Electronics Corporation
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4.6mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.5W (Ta), 16.5W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-HWSON (3.3x3.3)
Paket / Fodral
8-PowerWDFN
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NVTFS4C06NWFTAG
MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
NP89N03ZUGW-U
TRANSISTOR
NTR4503NT1
MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
