UPA2814T1S-E2-AT
Tillverkare Produktnummer:

UPA2814T1S-E2-AT

Product Overview

Tillverkare:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics Delenummer:

UPA2814T1S-E2-AT-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 30 V 24A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)

Inventarier:

10000 Pcs Ny Original I Lager
12860130
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

UPA2814T1S-E2-AT Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Renesas Electronics Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7.8mOhm @ 24A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.5W (Ta)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-HWSON (3.3x3.3)
Paket / Fodral
8-PowerWDFN
Grundläggande produktnummer
UPA2814

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
5,000
Andra namn
-1161-UPA2814T1S-E2-ATCT

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
onsemi

NVTFS4C08NWFTAG

MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN

onsemi

NTMFSC1D6N06CL

MOSFET N-CH 60V 36A/235A 8DFN

onsemi

NILMS4501NR2

MOSFET N-CH 24V 9.5A 4PLLP

panasonic

MTM761230LBF

MOSFET P-CH 20V 3A WSMINI6