Tillverkare Produktnummer:
NP36P04SDG-E1-AY
Product Overview
Tillverkare:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Delenummer:
NP36P04SDG-E1-AY-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 40 V 36A (Tc) 1.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
Inventarier:
11306 Pcs Ny Original I Lager
12860283
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NP36P04SDG-E1-AY Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Renesas Electronics Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
17mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.2W (Ta), 56W (Tc)
Drifttemperatur
175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252 (MP-3ZK)
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
NP36P04
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
NP36P04SDG-E1-AYDKR
NP36P04SDG-E1-AYTR
559-NP36P04SDG-E1-AYCT
NP36P04SDG-E1-AYDKR-DG
NP36P04SDG-E1-AYTR-DG
NP36P04SDG-E1-AYCT
NP36P04SDG-E1-AYCT-DG
NP36P04SDG-E1-AY-DG
NP36P04SDGE1AY
-1161-NP36P04SDG-E1-AYCT
559-NP36P04SDG-E1-AYDKR
559-NP36P04SDG-E1-AYTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NP109N055PUJ-E1B-AY
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
HAT2096H-EL-E
MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
HS54095TZ-E
MOSFET N-CH 600V 200MA TO92-3
