Tillverkare Produktnummer:
NP110N04PUK-E1-AY
Product Overview
Tillverkare:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Delenummer:
NP110N04PUK-E1-AY-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 110A (Tc) 1.8W (Ta), 348W (Tc) Surface Mount TO-263-3
Inventarier:
1554 Pcs Ny Original I Lager
12860105
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NP110N04PUK-E1-AY Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Renesas Electronics Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.4mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
297 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
15750 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.8W (Ta), 348W (Tc)
Drifttemperatur
175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263-3
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
NP110N04
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
-1161-NP110N04PUK-E1-AYTR-DG
-1161-NP110N04PUK-E1-AY
-1161-NP110N04PUK-E1-AYTR
-1161-NP110N04PUK-E1-AY-DG
NP110N04PUK-E1-AY-DG
559-NP110N04PUK-E1-AYCT
559-NP110N04PUK-E1-AYTR
559-NP110N04PUK-E1-AYDKR
-1161-NP110N04PUK-E1-AYCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NTP082N65S3F
MOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
NP100P04PLG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
NP60N055VUK-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
