N0604N-S19-AY
Tillverkare Produktnummer:

N0604N-S19-AY

Product Overview

Tillverkare:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics Delenummer:

N0604N-S19-AY-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 82A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 82A (Ta) 1.5W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab

Inventarier:

3990 Pcs Ny Original I Lager
12859401
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

N0604N-S19-AY Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Renesas Electronics Corporation
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
82A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4150 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.5W (Ta), 156W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220 Isolated Tab
Paket / Fodral
TO-220-3 Isolated Tab
Grundläggande produktnummer
N0604N-S19

Datablad och dokument

Datablad
N0604N

Ytterligare information

Standard-paket
1,000
Andra namn
-1161-N0604N-S19-AY

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
onsemi

NTD3055L104T4G

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

onsemi

NTD30N02G

MOSFET N-CH 24V 30A DPAK

onsemi

NTD5406NT4G

MOSFET N-CH 40V 12.2A/70A DPAK

onsemi

NVMFS5C670NLWFAFT3G

MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN