Tillverkare Produktnummer:
HAT2185WPWS-E
Product Overview
Tillverkare:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Delenummer:
HAT2185WPWS-E-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 150V 10A 8WPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 10A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount 8-WPAK (3)
Inventarier:
12853363
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
HAT2185WPWS-E Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Renesas Electronics Corporation
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
430 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
20W (Tc)
Drifttemperatur
150°C
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-WPAK (3)
Paket / Fodral
8-PowerWDFN
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
MMBF170LT3G
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
MMSF7P03HDR2
MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
BUK7M45-40EX
MOSFET N-CH 40V 19A LFPAK33
