HAT2088R-EL-E

Tillverkare Produktnummer:

HAT2088R-EL-E

Product Overview

Tillverkare:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics Delenummer:

HAT2088R-EL-E-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 200V 2A 8SOP

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 200 V 2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Inventarier:

Förfrågan Online

12855299

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

HAT2088R-EL-E Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Renesas Electronics Corporation

Förpackning

-

Serie

-

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

200 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

2A (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

440mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

13 nC @ 10 V

Vgs (max)

±30V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

450 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

2.5W (Ta)

Drifttemperatur

150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

8-SOP

Paket / Fodral

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Grundläggande produktnummer

HAT2088

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket

2,500

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

renesas-electronics-america

RJK2557DPA-00#J0

MOSFET N-CH 250V 17A 8WPAK

infineon-technologies

SPB70N10L

MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

renesas-electronics-america

NP82N055PUG-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 82A TO263

onsemi

NTMFS4120NT1G

MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN