2SK4151TZ-E

Tillverkare Produktnummer:

2SK4151TZ-E

Product Overview

Tillverkare:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics Delenummer:

2SK4151TZ-E-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 150V 1A TO92

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 150 V 1A (Ta) 750mW (Ta) Through Hole TO-92

Inventarier:

Förfrågan Online

12854583

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

2SK4151TZ-E Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Renesas Electronics Corporation

Förpackning

-

Serie

-

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

150 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

1A (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

2.5V, 4V

rds på (max) @ id, vgs

1.95Ohm @ 500mA, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

3.5 nC @ 4 V

Vgs (max)

±10V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

98 pF @ 10 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

750mW (Ta)

Drifttemperatur

150°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-92

Paket / Fodral

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket

2,500

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.21.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

renesas-electronics-america

NP50P04KDG-E1-AY

MOSFET P-CH 40V 50A TO263

onsemi

MTB2P50ET4G

MOSFET P-CH 500V 2A D2PAK

renesas-electronics-america

2SK4150TZ-E

MOSFET N-CH 250V 400MA TO92

UPA2739T1A-E2-AY

MOSFET P-CH 30V 85A 8HVSON