Tillverkare Produktnummer:
2SK3357-A
Product Overview
Tillverkare:
Renesas
DiGi Electronics Delenummer:
2SK3357-A-DG
Beskrivning:
2SK3357 - N-CHANNEL POWER MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 75A (Ta) 3W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3P (MP-88)
Inventarier:
294 Pcs Ny Original I Lager
12978542
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
2SK3357-A Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Renesas Electronics Corporation
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
5.8mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9800 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3W (Ta), 150W (Tc)
Drifttemperatur
150°C
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3P (MP-88)
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Ytterligare information
Standard-paket
75
Andra namn
2156-2SK3357-A
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0075
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
DMP3045LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
DMN2710UW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
DMN21D2UFB-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
