2SK2221-E

Tillverkare Produktnummer:

2SK2221-E

Product Overview

Tillverkare:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics Delenummer:

2SK2221-E-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 200V 8A TO3P

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 200 V 8A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventarier:

Förfrågan Online

12858514

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

2SK2221-E Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Renesas Electronics Corporation

Förpackning

-

Serie

-

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

200 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

8A (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

-

rds på (max) @ id, vgs

-

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

600 pF @ 10 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

100W (Tc)

Drifttemperatur

150°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-3P

Paket / Fodral

TO-3P-3, SC-65-3

Grundläggande produktnummer

2SK2221

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket

1

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

onsemi

NTGS4141NT1G

MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP

renesas-electronics-america

RJK0456DPB-00#J5

MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK

onsemi

NTMFS4C10NT1G-001

MOSFET N-CH 30V 8.2A/46A 5DFN

vishay-siliconix

IRF610SPBF

MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK