Tillverkare Produktnummer:
PJW5N06A_R2_00001
Product Overview
Tillverkare:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Delenummer:
PJW5N06A_R2_00001-DG
Beskrivning:
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 5A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Inventarier:
12972358
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
PJW5N06A_R2_00001 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
PANJIT
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
75mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
509 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.1W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-223
Paket / Fodral
TO-261-4, TO-261AA
Grundläggande produktnummer
PJW5N06
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
3757-PJW5N06A_R2_00001TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PJD16P06A-AU_L2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJW1NA60_R2_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
NVD4806NT4G-VF01
MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
