PJW3N10A_R2_00001
Tillverkare Produktnummer:

PJW3N10A_R2_00001

Product Overview

Tillverkare:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Delenummer:

PJW3N10A_R2_00001-DG

Beskrivning:

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 2.2A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223

Inventarier:

14009 Pcs Ny Original I Lager
12970626
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

PJW3N10A_R2_00001 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
PANJIT
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
310mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
9.1 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
508 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.1W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-223
Paket / Fodral
TO-261-4, TO-261AA
Grundläggande produktnummer
PJW3N10A

Datablad och dokument

Datablad
PJW3N10A

Ytterligare information

Standard-paket
2,500
Andra namn
3757-PJW3N10A_R2_00001CT
3757-PJW3N10A_R2_00001TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
panjit

PJP3NA50_T0_00001

500V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJD55N03_L2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD40N15_L2_00001

150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

panjit

PJD5NA80_L2_00001

800V N-CHANNEL MOSFET