PJS6601_S2_00001

Tillverkare Produktnummer:

PJS6601_S2_00001

Product Overview

Tillverkare:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Delenummer:

PJS6601_S2_00001-DG

Beskrivning:

MOSFET N/P-CH 20V 4.1A SOT23-6

Detaljerad beskrivning:

Mosfet Array 20V 4.1A (Ta), 3.1A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-6

Inventarier:

Förfrågan Online

12972964

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

PJS6601_S2_00001 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer

Tillverkare

PANJIT

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Produktens status

Not For New Designs

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguration

N and P-Channel Complementary

FET-funktion

-

Tömning till källspänning (Vdss)

20V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

4.1A (Ta), 3.1A (Ta)

rds på (max) @ id, vgs

56mOhm @ 4.1A, 4.5V, 100mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 10V, 416pF @ 10V

Effekt - Max

1.25W (Ta)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket / Fodral

SOT-23-6

Paket för leverantörsenhet

SOT-23-6

Grundläggande produktnummer

PJS6601

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket

10,000

Andra namn

3757-PJS6601_S2_00001TR

3757-PJS6601_S2_00001CT

3757-PJS6601_S2_00001DKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

panjit

PJX8808_R1_00001

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT563

panjit

PJX8872B_R1_00001

MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT563

wolfspeed

CAB006A12GM3

SIC 2N-CH 1200V 200A

rohm-semi

SP8M51HZGTB

MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP