PJS6412_S1_00001
Tillverkare Produktnummer:

PJS6412_S1_00001

Product Overview

Tillverkare:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Delenummer:

PJS6412_S1_00001-DG

Beskrivning:

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-23-6

Inventarier:

2950 Pcs Ny Original I Lager
12973278
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

PJS6412_S1_00001 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
PANJIT
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
23mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
4.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
392 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-6
Paket / Fodral
SOT-23-6
Grundläggande produktnummer
PJS6412

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
3757-PJS6412_S1_00001TR
3757-PJS6412_S1_00001CT
3757-PJS6412_S1_00001DKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SIHG026N60EF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

vishay-siliconix

IRFRC20TRLPBF-BE3

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K810R,LXHF

AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV

panjit

PJQ4463AP_R2_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M