PJQ5462A_R2_00001
Tillverkare Produktnummer:

PJQ5462A_R2_00001

Product Overview

Tillverkare:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Delenummer:

PJQ5462A_R2_00001-DG

Beskrivning:

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 8.5A (Ta), 42A (Tc) 2W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount DFN5060-8

Inventarier:

2947 Pcs Ny Original I Lager
12971505
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

PJQ5462A_R2_00001 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
PANJIT
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 42A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2142 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2W (Ta), 60W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DFN5060-8
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Grundläggande produktnummer
PJQ5462

Datablad och dokument

Datablad
PJQ5462A

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
3757-PJQ5462A_R2_00001CT
3757-PJQ5462A_R2_00001TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
panjit

PJQ4443P_R2_00001

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJE8401_R1_00001

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

vishay-siliconix

IRFR310TRPBF-BE3

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

panjit

PJQ4410P_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M