Tillverkare Produktnummer:
PJQ4476AP_R2_00001
Product Overview
Tillverkare:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Delenummer:
PJQ4476AP_R2_00001-DG
Beskrivning:
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 6.3A (Ta), 35A (Tc) 2W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount DFN3333-8
Inventarier:
12971787
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
PJQ4476AP_R2_00001 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
PANJIT
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.3A (Ta), 35A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
25mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1519 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2W (Ta), 62W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DFN3333-8
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Grundläggande produktnummer
PJQ4476
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
3757-PJQ4476AP_R2_00001TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
PJQ4476AP-AU_R2_000A1
Tillverkare
Panjit International Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
4898
DEL NUMMER
PJQ4476AP-AU_R2_000A1-DG
ENHETSPRIS
0.35
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
AOWF160A60
MOSFET N-CH 600V 24A TO262F
PJL9422_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJL9416_R2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
