PJP12NA60_T0_00001
Tillverkare Produktnummer:

PJP12NA60_T0_00001

Product Overview

Tillverkare:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Delenummer:

PJP12NA60_T0_00001-DG

Beskrivning:

600V N-CHANNEL MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 225W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventarier:

Förfrågan Online
12997396
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

PJP12NA60_T0_00001 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
PANJIT
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
700mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1492 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
225W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
PJP12

Ytterligare information

Standard-paket
2,000
Andra namn
3757-PJP12NA60_T0_00001CT-DG
3757-PJP12NA60_T0_00001TR
3757-PJP12NA60_T0_00001TR-DG
3757-PJP12NA60_T0_00001
3757-PJP12NA60_T0_00001CT
3757-PJP12NA60_T0_00001DKRINACTIVE
3757-PJP12NA60_T0_00001CTINACTIVE

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SIHB055N60EF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

littelfuse

IXTH60N20X4

MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247

vishay-siliconix

SIDR402EP-T1-RE3

N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SIHK055N60E-T1-GE3

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1